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SSM6G18NU,LF相关型号
Toshiba热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SSM6G18NU,LF

  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 批号：19+
  • 描述：SMALL SIGNAL MOSFET P-CH + SBD V
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，SSM6G18NU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4.5V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）112 毫欧 @ 1A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）4.6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）±8V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）270pF @ 10V
  • FET 功能肖特基二极管（隔离式）
  • 功率耗散（最大值）1W（Ta）
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-UDFN（2x2）
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘

其它信息

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